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At a June 1958 conference in Brussels, Leo Esaki reported on a new diode he had developed at Sony in which the current decreased as the voltage increased, effectively exhibiting "negative resistance." The Esaki or tunnel diode, named for the quantum-mechanical tunneling effect it exploited, offered fast switching speed with very low power ...
Leo Esaki (江崎 玲於奈; transkripsi yang benar Esaki Reona; juga dikenal sebagai Esaki Leona, (lahir 12 Maret 1925) adalah fisikawan Jepang-Amerika Serikat yang bekerja pada peralat kristal (diode semikonduktor) dan menunjukkan bahwa besarnya hambatan listrik kadang-kadang menurun dengan bertambahnya arus listrik.Ia menghubungkannya dengan penerowongan mekanika kuantum.
Biografía. Reiona Esaki, que occidentalizó su nombre como Leo Esaki, nació el 12 de marzo de 1925 en Osaka (Japón), hijo de un arquitecto. Realizó sus estudios de bachillerato en el prestigioso Tercer Instituto de Kyoto, de cuyas aulas salieron tres premios Nobel de Física. En 1947 Esaki finalizó su licenciatura en física en la ...
江崎玲于奈（Reona Esaki），男，1925年3月12日出生于日本大阪，毕业于东京大学。后进入川西机械制作所工作，进行由真空管的阴极放出热电子的研究工作。1956年，转入东京通信工业株式会社（现索尼）。1970年提出半导体超晶格理论。1973年，时任美国IBM沃森研究所研究员的江崎玲于奈，因在半导体中 ...
The Leo Esaki Award was established in 2019 to recognize the best paper appearing in a fast turn around archival publication of the IEEE Electron Devices Society, targeted to the IEEE Journal of Electron Devices Society. It is presented annually and the recipient(s) is awarded a certificate and a check for $2,500, presented at the International ...
Leo Esaki nació en Osaka, Japón, el 12 de marzo de 1925. Físico formado en la Universidad de Tokio, por la que se doctoró en 1959. Su principal trabajo, desarrollado en la empresa Sony, fue la creación del diodo de efecto túnel, que permite el paso de corriente en condiciones aparentemente de cierre, lo que equivale a la presencia de una resistencia negativa.
10 mA germanium tunnel diode mounted in test fixture of Tektronix 571 curve tracer. A tunnel diode or Esaki diode is a type of semiconductor diode that has effectively "negative resistance" due to the quantum mechanical effect called tunneling.It was invented in August 1957 by Leo Esaki and Yuriko Kurose when working at Tokyo Tsushin Kogyo, now known as Sony.
